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打造新P4!透视Intel 0.09微米制造工艺
2002年08月22日来源:赛迪网晓辉 象兵

随着AMD“大锤”发布日期日益临近,各种相关介绍、评论及预测类文章充斥了各大IT媒体,引发了一阵又一阵的热潮。一时间,“大锤”似乎已占尽了风头。人们在谈起Intel时,似乎只剩下了提速、降价的话题。

    不过,Intel就是Intel,这个财力雄厚的芯片巨人可不甘心让对手抛到后面,除坚持推新、调价策略外,Intel在新技术、新产品研发方面也没闲着。它已准备用现有奔腾4微处理器的接班人、基于0.09微米制造工艺的“Prescott”迎击“大锤”。

    赛迪网资讯中心年初就已报道过关于“Prescott”的消息,业界人士称其为“新奔4”,Intel表示,这款微处理器在技术上的进步可用“质的飞跃”来形容,除拥有更高的工作频率外,它还可内置高达1MB的二级缓存,同时,它采用的超级多线程工作模式(Hyper Threading)和全新指令集也将使其性能达到一个前所未有的高度。

    “Prescott”的性能指标足以让PC发烧友们为之疯狂,这表明:作为微处理器市场上的老大,在新一代产品研发方面,Intel的步伐并不比AMD慢,甚至还领先于对手,它的0.09微米制造工艺就是最好的说明。正因为能够导入这种先进的制造工艺,“Prescott”的设计、出色的性能表现才能成真,它所需的高集成度、高性能离不开0.09微米制造工艺的支持。

    Intel已于8月13日正式发布了0.09微米制造工艺的细节。在制造工艺方面Intel的改进速度可谓世界一流,它不久前才刚刚导入了0.13微米制造工艺,还没过1年,它就用0.09微米制造工艺生产出了结构比较简单的SRAM(高速缓存)产品,明年它还将用这种新工艺来量产微处理器。

    可能有人不理解Intel对导入新工艺为何如此热衷?也许下面对这种新工艺几大特点的介绍能够让他们消除疑问:

    ◇提升芯片集成度!为CPU缓存扩容

    众所周知,微处理器工作性能在一定程度上取决于其内置的高速缓存芯片(SRAM Cache)容量。在极限范围内,缓存容量越大、微处理器性能就越出色。

    

  ☆这块12英寸晶圆上刻满了SRAM芯片,采用了0.09微米制造工艺,集成晶体管总数为3300亿颗

  目前,微处理器内置高速缓存容量大多数是512KB或者1MB。而0.09微米制造工艺可提高芯片集成度的特点,可在不增加芯片面积的情况下,大大提升微处理器核心中高速缓存的容量。

  在今年3月份发布会上,Intel就亮出了有史以来容量最大的高速缓存芯片——采用0.09微米制造工艺生产6.5MB SRAM芯片,得益于新工艺,其容量仍有不少提升空间。

  在微处理器方面,“Prescott”将是首款受益的产品,采用新工艺后,它可内置1MB二级缓存,与AMD“大锤”一较高下。对于台式机而言,如此大容量的缓存确实令人兴奋。但为避免台式机用微处理器挤占利润丰厚的服务器用微处理器市场,Intel将在其采用0.13微米制造工艺的第三代安腾——“Madison”中内置高达6MB的三级缓存,未来采用0.09微米工艺,集成8000万颗左右晶体管的第四代安腾——“Montecito”可支持12MB的三级缓存。

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关键字:P4  Intel  
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