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技术新突破,华微电子TRENCH SBD产品正式发布

2021-03-25 11:10 TOM   

在新基建的激励之下,市场对电子电力设备的需求越来越强烈,这也给半导体产业发展提供了机遇。作为功率半导体行业的龙头企业,华微电子在半导体领域深耕多年,携带自身优势入局新基建赛道,并在市场的助力之下,向高端领域迈进,发布TRENCH SBD产品,满足客户的更高需求。

TRENCH SBD即沟槽-MOS-势垒-肖特基,作为平面肖特基的升级产品,华微电子于2017年开始进行自主产品技术开发,目前已经建立沟槽产品平台,形成产品系列化。TRENCH SBD在平面SBD基础上引入沟槽MOS结构,正向偏置时,表现出肖特基势垒低压降特点,反向偏置下利用其它MOS结构的耦合效应改变漂移区的电场分区,提升了器件的的反向特性,结合低阻外延改善肖特基器件的正反向特性。

在TRENCH SBD产品技术上,包含芯片设计、终端、单胞、阻性场版与金属场版复合终端、Trench。选用势垒可调技术,优化正向压降和反向漏电;高深宽比U形槽刻蚀技术,标准U形结构,侧壁光滑、底角圆滑;高深宽比薄膜氧化淀积技术,沟槽内介质层厚度均匀,多晶硅无空隙淀积;低损伤引线刻蚀技术;对比平面肖特基产品正向压降更低,工作效率高。

华微电子TRENCH SBD产品所有功率器件均为自主研发和生产,产品电压范围为45V-100V、电流范围5A-40A。电压45V,电流10A/20A/30A;电压60V,电流10A/15A/20A/30A;电压100V,电流10A/15A/20A/30A/40A,产品包含TO-220、TO-220HF、TO-263、DPAKM、SMP-1、SMB、DO-201AD、R-6。

其中华微电子光伏沟槽肖特基 45V系列具有如下特点:沟槽结构,低正向压降;温升低;良好的高温特性、热逃逸能力强,可应用在太阳能电池接线盒旁路二极管。沟槽肖特基产品 45V/60V/100V系列产品具有如下特点:沟槽结构,低正向压降;低功率,高效率;良好的高温特性,可应用于充电器、适配器、液晶电视等领域。

吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的高新技术企业。经科技部、中科院等国家机构论证,被列为国家级企业技术中心、国家博士后科研工作站、国家创新型企业。

责任编辑: WY-BD

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