华微电子专注技术革新，企业始终保持核心竞争力

提到国内功率半导体器件领域，很多人都会想到华微电子，因为它是国内首家功率半导体器件领域上市公司。而成就这一金字招牌，华微电子用了半个多世纪，在经过一系列努力之后，华微电子逐步发展成为一家以研发、生产、销售功率半导体器件及功率集成电路为核心业务的高新技术企业。

20世纪60年代初，华微电子成立了。公司前身是吉林市半导体厂，工厂成立之初即派出28名职工外出到北京等地学习硅整流二极管制造工艺。

说起建厂初期的峥嵘岁月，华微电子党委书记王桂莲依然感慨万千：“当时，吉林市为了建半导体厂，把吉林市表厂迁走了，老楼没有进行装修。因为生产对洁净度要求较高，我们就在两个楼后面的一个澡堂子里成功试制出硅整流二极管。”而硅整流二极管的成功试制填补了吉林省晶体管生产的空白。

到了2001年3月16日，华微电子正式登陆上海证券交易所，一举成为国内首家功率半导体器件领域的上市公司。

时至今日，华微电子一直在专注功率半导体全产业链发展，并不断突破自我、开拓进取，更承担了多项国家半导体技改项目。

如今，华微电子总资产已接近61.1亿元、员工2000余人，公司还被认定为国家博士后科研工作站、国家创新型企业、国家企业技术中心、CNAS国家认可实验室，并发展成为全国最具影响力的半导体IDM企业之一、我国功率半导体器件行业中的领军企业。

华微电子为了让企业保持核心竞争力，又通过自主创新、产学研合作、引进消化吸收等多种形式使产品技术不断升级迭代，以技术创新引领形成独特的核心竞争力。华微电子相关人员提到：“公司目前共有专利百余项，广泛应用于各系列产品设计开发及生产中，产品的部分性能已经优于国外公司的同类产品，达到了国内领先水平。”

最近几年，华微电子整通过积极引进先进技术与标准，广泛开展产学研等技术交流与合作，建立技术研发与技术标准相结合的管理机制，注重先进技术的运用、消化和吸收，逐步在FRD、IGBT、SBDVD-MOS等产品开发中推广运用，公司的技术实力得到显著提升。其中，1350VTrenchIG-BT项目成功攻克深槽刻蚀与填充、高均匀性多晶回刻与刻蚀工艺、Ti/Tin淀积与RTP退火工艺等难题。TrenchIG-BT工艺平台的开发成功，让华微电子在功率器件研制开发方面的表现更加全面。

除此之外，华微电子在新能源汽车双面散热模块，实现了功率模块双面散热超薄结构，缩小模块体积，提高模块功率密度和效率，降低功率损耗，适应未来电控系统轻量化要求，产品技术将达到同等国际标杆水平。同时，公司开发高压3300V～4500V的IGBT和FRD产品，也已实现超高压大功率器件的国产化。

华微电子相关负责人介绍道：“公司一直非常重视研发创新，目前年均研发费用已投资过亿元，研发支出占销售额的6%。”