台积电1.6nm制程年内量产 背面供电技术首次落地

据多方媒体报道，台积电已完成1.6nm制程（A16）的开发和验证，预计2026年第四季度进入量产，这也是台积电首个同时采用GAAFET纳米片晶体管和背面供电技术的制程节点。

A16的核心创新是台积电称为'Super Power Rail'（SPR）的背面供电网络，传统芯片的信号线路和电源线路都布置在晶圆正面，共享有限的金属层，容易造成布线拥塞和信号干扰，SPR将电源线路移至晶圆背面，正面空间全部留给信号传输。

台积电在2024年北美技术论坛上介绍，SPR通过特殊触点直接连接每个晶体管的源极和漏极，在降低电阻的同时不牺牲晶体管密度和布局灵活性。英特尔的PowerVia和三星在SF1.4中规划的背面供电走的是类似方向，但台积电强调其SPR与GAAFET的集成配合成熟的制造链，在良率上具备优势。

对比台积电自家2nm增强版（N2P），A16在相同电压下计算速度提升8%至10%，功耗降低15%至20%，芯片密度提高8%至10%，此外A16不需要High-NA EUV光刻机，使用现有EUV设备即可生产，这降低了设备投资门槛。

在竞争对手方面，三星近期将原定2027年的SF1.4（1.4nm级）制程推迟至2029年，优先改善2nm制程良率，据行业估计，三星SF2良率约50-60%，而台积电N2良率在65-75%。英特尔18A制程定位1.8nm级，侧重高频性能，在密度上不及台积电。

据分析机构数据，台积电目前握有全球约64%的代工市场份额，NVIDIA计划在2028年推出的Feynman架构AI GPU将采用A16制程，可能成为该节点的首批客户，而苹果计划跳过A16直接采用1.4nm（A14）制程，台积电的目标是2028年量产1.4nm制程。

'Å'代表埃（Angstrom），1埃等于0.1纳米，以瑞典物理学家安德斯·埃格斯特朗命名——他在19世纪首次精确测量了太阳光谱的波长。进入2nm以下节点后，继续用nm会变成小数点后一位的数字（1.6nm、1.4nm），既不直观也不利于营销，所以台积电、英特尔、三星不约而同地切换到埃级命名：A16即16Å（1.6nm），18A即18Å（1.8nm），14A即14Å（1.4nm）。不过需要说明的是，这里的'nm'或'Å'早已不是晶体管栅极的实际物理尺寸——从大约7nm节点开始，制程名称就变成了纯粹的商业代号，代表的是晶体管密度、性能和功耗的综合定位，而非任何真实物理长度。